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罐體拋光機磨料耐火和耐腐蝕材料
碳化硅是一種人工合成的碳化物，分子式為SiC。通常是由二氧化硅和碳在通電后2000℃以上的高溫下形成的。碳化硅理論密度是3.18克每立方厘米，其莫氏硬度僅次于金剛石，在9.2-9.8之間，顯微硬度3300千克每立方毫米，由于它具有高硬度、高耐磨性、高耐腐蝕性及較高的高溫強度等特點，被用于各種耐磨、耐蝕和耐高溫的機械零部件，是一種新型的工程陶瓷新材料。
碳化硅的基本性能
化學性質
抗氧化性：當碳化硅材料在空氣中加熱到1300℃時，在其碳化硅晶體表面開始生成二氧化硅保護層。隨著保護層的加厚，阻止了內部碳化硅繼續被氧化，這使碳化硅有較好的抗氧化性。當溫度達到1900K(1627℃)以上時，二氧化硅保護膜開始被破壞，碳化硅氧化作用加劇，所以1900K是碳化硅在含氧化劑氣氛下的最高工作溫度。
耐酸堿性：在耐酸、堿及氧化物的作用方面，由于二氧化硅保護膜的作用，碳化硅的抗酸能力很強，抗堿性稍差。化學拋光是讓材料在化學介質中表面微觀凸出的部分較凹部分優先溶解，從而得到平滑面。這種方法的主要優點是不需復雜設備，可以拋光形狀復雜的工件，可以同時拋光很多工件，效率高。化學拋光的核心問題是拋光液的配制。化學拋光得到的表面粗糙度一般為數 10 μ m 。
1.3 電解拋光
電解拋光基本原理與化學拋光相同，即靠選擇性的溶解材料表面微小凸出部分，使表面光滑。與化學拋光相比，可以消除陰極反應的影響，效果較好。電化學拋光過程分為兩步：
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